Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА
РадиоЛоцман - Все об электронике

Новости - Память - 5

Подраздел: "Память"
Найдено: 146 Вывод: 41-50
  1. Преодолев технические сложности масштабирования DRAM, Samsung первой в мире открывает дверь в мир DRAM класса 10 нм Samsung Electronics объявила о начале крупносерийного производства первых изделий с проектными нормами 10 нм 8-гигабитных микросхем ...
    Opening the door to “10 nm-class DRAM” for the first time in the industry after overcoming technical challenges in DRAM scaling Samsung Electronics announced that it has begun mass producing the industry’s first 10-nanometer (nm) ...
    22-06-2016
  2. Группа ученых из лаборатории топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ и МГУ предложила принципиально новый тип ячеек памяти на основе сверхпроводников такая память может работать в сотни раз быстрее, чем распространенные ...
    24-03-2016
Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy
  1. Семейство микросхем NOR Flash-памяти с интерфейсом SQI предназначенное для применения в автомобильной электронике, обладает усовершенствованным функционалом и низким энергопотреблением Компания Microchip анонсировала семейство микросхем NOR ...
    SST26VF SQI Family of Flash Products Now Available With Improved Functionality and Low Power Consumption Microchip Technology Inc. announced the introduction of automotive-grade NOR Flash products with wider voltage and a larger temperature range. ...
    10-02-2016
  2. Новое решение Samsung в области DRAM указывает на то, что TSV становится господствующей технологией в приложениях памяти большой емкости Компания Samsung анонсировала начало массового производства первых в отрасли 128-гигабайтных модулей памяти ...
    New Samsung DRAM Solution Signals TSV Technology is heading for Mainstream High-Capacity Memory Applications Samsung Electronics announced that it is mass producing the industry’s first “through silicon via” (TSV) double data ...
    10-12-2015
  1. Новое устройство емкостью 256 Мбит в корпусе с небольшим количеством выводов и полосой пропускания в режиме чтения до 333 МБ/c предназначена для широкого диапазона высокопроизводительных систем Компания Cypress Semiconductor расширила линейку ...
    New 256 Mb Device Delivers Up to 333 MBps of Read Bandwidth in a Low-Pin-Count Package; Addresses a Broad Range of the Highest-Performance Systems Cypress Semiconductor Corp. expanded its NOR HyperFlash product line with the qualification of a new ...
    13-08-2015
  2. Инновационная трехмерная многоуровневая структура увеличивает объем и повышает технические характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba America представила новое поколение флэш-памяти BiCS FLASH с трехмерной многоуровневой структурой запоминающих ...
    Innovative 3D stacked structure boosts capacity and performance Toshiba America Electronic Components , Inc. unveiled the new generation of BiCS FLASH, a three-dimensional (3D) stacked cell structure flash memory. The new device is the world's ...
    12-08-2015
  3. Память Atmel AT21CS01 AT21CS11
    Новому семейству однопроводных устройств памяти с оригинальной схемой паразитного питания и уникальным 64-битным серийным номером требуются лишь один вывод данных и один вывод земли Atmel начала производство инновационной микросхемы однопроводного ...
    With a Novel Parasitic Power Scheme, New Single-Wire Family Requires Just One Data and One Ground Pin Eliminating the Need for Power Source/ Vcc and Features Plug-and-Play 64-bit Serial Number for Identification Atmel Corporation launched the ...
    12-08-2015
  4. Новая трехуровневая ячейка NAND памяти (TLC) большой емкости обеспечивает высокий уровень технических характеристик: Концентрированный баланс цены, емкости и технических характеристик При той же емкости, что и MLC NAND площадь, кристалла снижена на ...
    New High-Capacity Triple-Level-Cell (TLC) NAND Provides Efficient, High-Performance Storage: Offers a focused balance in cost, capacity and performance. Enables the same capacity as MLC NAND with a 28% savings in die area. Targeted for use in ...
    02-06-2015
  5. Новые приборы F-RAM расширяют диапазон емкостей самых экономичных микросхем энергонезависимой памяти, предназначенных для особо ответственных приложений Cypress Semiconductor представила семейство микросхем сегнетоэлектрической памяти с ...
    New F-RAM™ Expands the Density Range of the Most Energy-Efficient Nonvolatile RAMs for Mission-Critical Data Storage Cypress Semiconductor introduced a family of 4 Mb serial Ferroelectric Random Access Memories (F-RAMs™), which are the ...
    06-05-2015
  6. Резистивная память CBRAM может радикально снизить потребление энергии, став новым стандартам эры Интернета вещей Компания Adesto Technologies, ведущий разработчик и лидер рынка самых малопотребляющих решений в области энергонезависимой памяти с ...
    CBRAM resistive memory enables radically low energy consumption, setting standard for a new generation of memory for the Era of Things Adesto Technologies, the inventor and market leader of the world’s lowest power memory solutions, announced ...
    15-01-2015
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России