Microchip выпускает Flash-память с интерфейсом SQI для автомобильной электроники

Семейство микросхем NOR Flash-памяти с интерфейсом SQI предназначенное для применения в автомобильной электронике, обладает усовершенствованным функционалом и низким энергопотреблением

Компания Microchip анонсировала семейство микросхем NOR Flash-памяти SST26VF с расширенным диапазоном напряжений питания, предназначеных для применения в устройствах автомобильной электроники. Таким образом, на данный момент компания является единственным производителем микросхем памяти с интерфейсом Serial Quad I/O (SQI) для автомобильных систем. В состав семейства входят приборы с объемом памяти 16, 32 и 64 Мбит, соответствующие классу Automotive Grade 2 и 3, нижний порог напряжения питания у которых снижен с 2.7 В до 2.3 В, а верхний температурный предел увеличен до 105 °C.

Всем представителям семейства SST26VF свойственны все преимущества технологии SuperFlash, ранее разработанной компанией Silicon Storage Technologies (SST), которые позволили повысить производительность и надежность одновременно со снижением энергопотребления. Микросхемы памяти в типовых высокоскоростных режимах работы потребляют всего 15 мА, что является ключевым фактором для многих автомобильных приложений.

Надежность технологии ячеек памяти SuperFlash обеспечивает огромный ресурс циклов перезаписи и долговечность хранения данных с чрезвычайно низким уровнем отказов и высокой эффективности при высоких температурах. Все эти функции критичны для соблюдения строгих требований, предъявляемых к уровням качества и надежности устройств автомобильной электроники.

Основные характеристики и особенности микросхем SST26VF:

• Последовательный интерфейс SQI с полной совместимостью набора команд с традиционным интерфейсом SPI;
• Поддержка множества режимов работы как в режиме SQI, так и в режиме SPI;
• Несколько режимов стирания и записи;
• Поддержка стандарта Serial Flash Discoverable Parameters (SFDP);
• Поддерживается работа с тактовой частотой до 104 МГц;
• Поддержка программной блокировки записи;
• Низкое энергопотребление:
  • в режиме чтения: 15 мА (104 МГц);
  • в режиме Standby: 15 мкА;
  • в режиме Deep Power-Down: 2.5 мкА;
• Диапазон напряжений питания 2.3 В – 3.6 В;
• Количество циклов перезаписи 100,000;
• Гарантированный срок хранения данных 100 лет;
• Рабочий диапазон температуры –40 °С … +105 °С;
• Отвечают требованиям стандартов электроники для автомобильных приложений, соответствуют классам Automotive Grade 2 и 3;
• Выпускаются в миниатюрных 8-выводных корпусах: WDFN (6 мм × 5 мм), SOIC и SOIJ.