Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet C2M1000170D (Wolfspeed) - 6

ПроизводительWolfspeed
ОписаниеSilicon Carbide Power MOSFET 1700 V 5.0 A 1.0 Ω
Страниц / Страница10 / 6 — Typical Performance. 120. Conditions:. TJ = 25 °C. T 25 °C. Total. J =. …
Формат / Размер файлаPDF / 996 Кб
Язык документаанглийский

Typical Performance. 120. Conditions:. TJ = 25 °C. T 25 °C. Total. J =. 100. VDD = 1200 V. VDD = 900 V. RG(ext) = 2.5 Ω. ETotal. GS = -5/+20 V

Typical Performance 120 Conditions: TJ = 25 °C T 25 °C Total J = 100 VDD = 1200 V VDD = 900 V RG(ext) = 2.5 Ω ETotal GS = -5/+20 V

27 предложений от 12 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics
Весь мир
C2M1000170D
от 1.35 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
C2M1000170D
Cree
471 ₽
ЧипСити
Россия
C2M1000170D
Cree
799 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
C2M1000170D
от 1 512 ₽
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Typical Performance
Figure 19. Continuous Drain Current Derating vs. Figure 20. Maximum Power Dissipation Derating Vs Case Temperature Case Temperature Figure 21. Transient Thermal Impedance Figure 22. Safe Operating Area (Junction - Case)
120 80 Conditions: Conditions: TJ = 25 °C E T 25 °C Total 70 J = 100 VDD = 1200 V VDD = 900 V RG(ext) = 2.5 Ω RG(ext) = 2.5 Ω V ETotal GS = -5/+20 V 60 VGS = -5/+20 V FWD = C2M1000170D FWD = C2M1000170D 80 L = 1738 μH E L = 1738 μH On 50 60 40 E Loss (uJ) On ng itching Loss (uJ) 30 40 itchi Sw Sw 20 20 EOff E 10 Off 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 Drain to Source Current, IDS (A) Drain to Source Current, IDS (A)
Figure 23. Clamped Inductive Switching Energy vs. Figure 24. Clamped Inductive Switching Energy vs. Drain Current (V = 1200V) Drain Current (V = 900 V) DD DD
6
C2M1000170D Rev. 7, 02-2021
Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс