Datasheet Infineon IQE013N04LM6CGATMA1 — Даташит
| Производитель | Infineon |
| Серия | IQE013N04LM6CG |
| Модель | IQE013N04LM6CGATMA1 |
Низковольтный силовой полевой МОП-транзистор OptiMOS 40 В в корпусе PQFN 3.3x3.3 Source-Down с центральным затвором и лучшим в отрасли RDS (вкл.)
Datasheets
OptiMOS Power-MOSFET, 40V
Цены
 Купить IQE013N04LM6CGATMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 125 до 259 ₽22 предложений от 8 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 205 А, 0.0011 Ом, TTFN, Surface Mount | |||
| IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon | 125 ₽ | ||
| IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon | 196 ₽ | ||
| IQE013N04LM6CGATMA1 | от 234 ₽ | ||
| IQE013N04LM6CGATMA1 Infineon | 252 ₽ | ||
Подробное описание
IQE013N04LM6CG расширяет инновационное семейство Source-Down за счет 1.35mOhm, OptiMOS power MOSFET 40V в корпусе 3.3x3.3 PQFN Source-Down Center-Gate.
Этот лучший в своем классе силовой полевой МОП-транзистор бросает вызов существующему положению дел в области плотности мощности и форм-фактора в конечном приложении.
Одна из целей при проектировании электроинструмента - минимизировать внутренние ограничения требований к площади печатной платы, обеспечивая эргономичный дизайн и оптимизируя взаимодействие с конечным пользователем. Перемещение инвертора из рукоятки в головку одновременно минимизирует объем корпуса двигателя электроинструмента, сохраняя при этом крутящий момент инструмента на достаточно высоком уровне для быстрого и легкого действия.
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Модельный ряд
- IQE013N04LM6CGATMA1
Классификация производителя
- Power > MOSFET (Si/SiC) > 12V-300V N-Channel Power MOSFET
