Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Схема диодного «ИЛИ» для объединения низковольтных источников питания

Linear Technology LT4351

Большинство современных микроконтроллеров питаются от постоянного напряжения 3.3 В или ниже. Для питания маломощных встроенных систем, работающих периодически, используются батареи. Для оборудования, работающего постоянно, обычно используется сетевой источник питания (трансформаторный или с AC/DC преобразователем) и схема диодного «ИЛИ», объединяющая источники питания вместе [1] и [2]. Падающее на диодах прямое напряжение 0.6 В не создавало проблем для более ранних конструкций, часто питавшихся от батарейных источников 9 В или более. Но в современных схемах это не лучшее решение, даже при использовании диодов Шоттки с прямым падением напряжения 0.3 В.

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Лучшей альтернативой для объединения батарейного и сетевого источников питания является использование микросхемы специализированного контроллера. Прямое падение напряжения в таких устройствах, как LT4351, измеряется всего несколькими десятками милливольт благодаря очень низким сопротивлениям открытых каналов внешних MOSFET. Однако по сравнению с предложенным ниже простым дискретным решением эти специализированные микросхемы часто дороги и их не всегда легко приобрести.

Схема на Рисунке 1 оказалась критически важной, когда мне понадобилось повысить общий КПД конструкции очень малопотребляющего портативного регистратора данных, предназначенного для долговременного использования.

Эта упрощенная схема объединения по «ИЛИ» двух источников питания, выполненная на дискретных компонентах, снижает потери по сравнению с решением, основанном на диодах.
Рисунок 1. Эта упрощенная схема объединения по «ИЛИ» двух источников питания,
выполненная на дискретных компонентах, снижает потери по сравнению
с решением, основанном на диодах.

Кратко опишем работу схемы. При наличии основного источника питания VIN1 N-канальный MOSFET T3 включен, поэтому затвор P-канального MOSFET T2 соединен с землей, и T2 открыт. Управляющим напряжением затвор-исток транзистора T1 служит напряжение сток-исток транзистора T2, которое составляет всего десятки милливольт. Это значит, что T1 выключен, и путь прохождения тока внешнего источника питания VIN2 разорван.

Теперь в случае временного отключения VIN1 T3 закрывается, потому что его затвор оказывается подключенным к земле через резистор R1, а транзистор T1, соответственно, включается. При этом транзистор T2 выключен, поскольку его затвор соединен с истоком через резистор R2, и напряжение затвор-исток T2 почти равно нулю.

MOSFET T1 и T2 следует выбирать с очень низкими пороговыми напряжениями затворов и очень низкими сопротивлениями открытых каналов. Например, можно использовать транзисторы PMN50XP с сопротивлением канала 60 мОм и пороговым напряжением затвор исток, равным 3.3 В. В качестве T3 можно использовать популярный транзистор 2N7000 (или его аналог для поверхностного монтажа 2N7002).

Ток покоя схемы равен примерно 20 мкА при наличии основного источника питания и почти равен нулю при его отсутствии. Поэтому в качестве внешнего источника питания можно использовать батарею.

Сопротивления резисторов R1 и R2 не критичны. Они могут составлять сотни кОм, если предпочтительно получить очень низкий ток покоя, или десятки кОм, если важнее уменьшить время переключения между входными источниками питания.

Ссылки

  1. Fundamentals of power system ORing, Martin Patoka, EDN, March 21, 2007
  2. Use op amps to make automatic-ORing power selector, Bob Zwicker, EDN, August 11, 2011

Материалы по теме

  1. Datasheet Linear Technology LT4351
  2. Datasheet NXP PMN50XP
  3. Datasheet Microchip 2N7000
  4. Datasheet Microchip 2N7002

EDN

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: ORing low-voltage sources simply and cheaply on 3.3V microcontroller boards

30 предложений от 23 поставщиков
Микросхема: IC OR CTRLR N+1 10MSOP
EIS Components
Весь мир
LT4351CMS#PBF
Analog Devices
192 ₽
ChipWorker
Весь мир
LT4351IMS#TRPBF
Linear Technology
201 ₽
ЧипСити
Россия
LT4351IMS#TRPBF
Linear Technology
270 ₽
LT4351CMS#TR
Linear Technology
по запросу
Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя
Фрагменты обсуждения (только последние 20 сообщений):Полный вариант обсуждения »
  • У германиевых диодов при небольших токах падение меньше, чем у Шоттки. Так что если не критично и можно пожертвовать 100-150мВ питания (например, не поплывёт опорное АЦП), то диодная развязка имеет право на жизнь. В свою очередь, на MOSFET можно сделать не только развязку, но и экономную защиту от переполюсовки, если схема потребляет относительно много.
  • Есть сомнения в том, что PMN50XP доступнее LT4351.
  • Схема вполне рабочая. Понятно, что автор решал конкретную задачу и такое решение не претендует на универсальность. В статье есть неточность. Цитата: Управляющим напряжением затвор-исток транзистора T1 служит напряжение сток-исток транзистора T2, которое составляет всего десятки милливольт. Это значит, что T1 выключен, и путь прохождения тока внешнего источника питания VIN2 [COLOR="Red"]открыт[/COLOR]. ...путь... закрыт.
  • естественно "рабочая" целевое устройство будет запитано через паразитные диоды мосфетов Т1 и Т2 , так шта аФФтор не Абманул схема действительно "Схема диодного «ИЛИ»"
  • Спасибо, уважаемый Сатир! Ошибка исправлена.
  • А разве внешний источник не будет постоянно подключен через паразитный диод Т1?
  • Есть такая поговорка: "К цепям, к которым не приложено напряжение, закон Ома не применим". Данная схема предназначена для элиминации потерь на диодах. Поэтому когда открывается транзистор Т1 или Т2 ток течёт по пути наименьшего сопротивления. Учитывая ничтожное сопротивление открытых MOSFET это экономит 500-600мВ или больше. Конечно, в соответствии с правилами Кирхгофа паразитный диод открытого транзистора можно представить в виде ветви. Но учитывая ничтожно малое прямое падение на транзисторе, диод в это время закрыт. При выборе транзисторов следует обратить внимание вот на этот фрагмент:
  • Я не об этом. Я про то, что даже при закрытом транзисторе внешний источник всё равно подключен через паразитный диод. Если в качестве этого внешнего резервного источника, например, свежезаряженный литиевый аккумулятор, то его напряжение выше 4-х вольт и диод будет открыт.
  • Так это ключевой фрагмент. :) Какой ток потечет через этот диод при полностью открытом транзисторе?
  • а кто тебе сказал что он сможет стать открытым ?
  • А вот и не подеретесь! Что вы схватились из-за ерунды? У Т1 и Т2 диоды нарисованы в обратную сторону. Отсюда и все непонятки. Однако, зачем-то так нарисовано?! От лукавого это...
  • диоды нарисованы правильно :) , просто мосфеты смотрят невтуда,
  • В комментариях к исходной статье на EDN упоминается патент из которого, видимо, и выросла эта схема с попутными упрощениями. Автор Todd Hayden использует по два транзистора "to avoid inadvertent leakage through single transistor body diode". [url]https://patents.google.com/patent/US8289799[/url]
  • И этот факт отвечает на все вопросы. :) [IMG]https://patentimages.storage.googleapis.com/c6/93/30/d5e371f2e6f7d9/US08289799-20121016-D00001.png[/IMG]
  • [IMG]https://dl.dropbox.com/s/no0qbpvt0nzho4k/88888.JPG?dl=0[/IMG]
  • Это ошибка. В р-канальных транзисторах защитный диод вкдючен наоборот.
  • да ты шо.... че правда правда на оборот?
  • Когда я в предыдущем посте указал на эту ошибку, я имел ввиду, что транзисторы развёрнуты неправильно. На эту же ошибку абсолютно точно указал и [b]DmitriyVDN[/b]. Сами транзисторы с р-каналом изображены верно.
  • На схеме: Т1 - Р Т2 - N Т3 - N В описании работы схемы: Т1 - хз Т2 - Р Т3 - N В указании компонентов: Т1 - Р Т2 - Р Т3 - N Если я не ошибся, то... о чем Вы спорите? :)
  • Согласен. Спасибо, я почему-то не заметил этого сразу. Тогда в таком виде схема не работает так, как автор трактует.
Полный вариант обсуждения »