Электронные компоненты ЗАО "ЭПЛ": мощные биполярные транзисторы Дарлингтона, диоды.

В ЗАО "ЭПЛ" разработана и выпускается широкая номенклатура электронных компонентов: биполярные транзисторы, транзисторы Дарлингтона, диоды, в т.ч. быстровосстанавливающиеся. В стадии серийного освоения находится ряд МДП и IGBT- транзисторов, тиристоров и симисторов, охватывающих широкий диапазон токов и напряжений.

Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона

Мощные транзисторы Дарлингтона (МТД), обладая высокими коэффициентами усиления по току h_21Э и не требующие энергоемких управляющих цепей, довольно прочно занимают свое место на рынке полупроводниковых приборов. Прежде всего- это системы автоматики, усилители мощности, управление электроприводом двигателей, низковольтный сервопривод и регуляторы напряжения генераторов автомобилей, электронные схемы коммутаторов систем зажигания автомобилей и другие низкочастотные устройства для которых прежде всего важно сочетание стоимости и качества.

Серия транзисторов КТД8252 со встроенным диодом и стабилитроном- аналог BU941Z, BU941ZT- разработана и выпускается для систем электронного зажигания автомобилей. Внедрение усовершенствованного конструктивно-технологического варианта и ужесточение системы функционального контроля позволили улучшить статические и динамические характеристики транзисторов.

Для маломощных транзисторных систем электронного зажигания мотоблоков разработаны и выпускаются транзисторы Дарлингтона с I_к=7А, U_{кэо_гр}>350В:

• КТД8262 со встроенным диодом и стабилитроном, резисторами R1, R2;
   
• КТД8279 - аналог SEC80 со встроенным диодом, резисторами R1, R2.
   

Серия транзисторов Дарлингтона КТД8278 дополняет ряд отечественных транзисторов Дарлингтона, предназначенных для коммутации тока в обмотке возбуждения генераторов переменного тока- КТ829АТ, КТ8116, КТ8246, КТД8253. Отличительными особенностями серии транзисторов Дарлингтона КТД8278 (зарубежный аналог SGSD93ST) являются:

• сочетание низкого напряжения насыщения U_{кэо_нас}<1,1В (I_К=5А/I_Б=8мА) с высоким граничным напряжением U_{кэо_гр}=120-180В;
   
• высокий коэффициент усиления h_21Э>1000 на начальной стадии характеристики h_21Э=f(I_К) (h_21Э>1000 при токе коллектора I_К=200мА).
   

Транзисторы имеют внутренний диод в цепи коллектор - эмиттер, резисторы R1, R2 в цепях база - эмиттер. Улучшены статические и динамические характеристики транзистора.

Серия транзисторов Дарлингтона КТД8257 - npn, аналог массово продаваемой комплиментарной пары SGSD100 npn/ SGSD200 pnp низковольтной серии фирмы ST, разработана для применения в линейных и импульсных промышленных устройствах, аудио усилителях, драйверах, мощных регуляторах напряжения автотракторной электроники.

Транзисторы КТД8278, КТД8257, собираемые в корпус ТО-3 заменяют известный транзистор 2Т827.

Серии транзисторов Дарлингтона КТД8280 (npn), КТД8281 (pnp)- комплиментарная пара на токи коллектора I_к 25-50А, U_{кэо_гр} 60, 80, 100В с низкими напряжениями насыщения- разработана для применения в схемах управления двигателями, низковольтных DC/DC и DC/AC преобразователях, источниках бесперебойного питания и источниках лазерной накачки.

Статические характеристики транзисторов этого класса приведены на Рис.1 и 2.

 

Мощные биполярные транзисторы

Серия транзисторов КТ8284 сочетает в себе достоинство транзисторов Дарлингтона по коэффициенту усиления h₂₁=300-1000 в широком диапазоне токов коллектора I_К=0,25-5А, (U_кэ=1,5В), с присущими биполярным транзисторам динамическими характеристиками и низким напряжениям насыщения U_{кэо_нас} <0,4 В (I_К5А/I_Б40мА). Транзистор в ряде случаев успешно заменяет известный Дарлингтон КТ829.

Серии транзисторов КТ8282 (npn), КТ8283 (pnp),- комплиментарные пары на токи коллектора I_к 25-50А, U_{кэо_гр} 60, 80, 100В с низкими напряжениями насыщения- разработаны для применения в схемах управления двигателями, низковольтных DC/DC и DC/AC преобразователях, источниках бесперебойного питания и источниках лазерной накачки.

Серии ключевых биполярных транзисторов КТ8258, КТ8259, КT8260, КТ847-Э, КТ8285 на токи коллектора I_к 4, 8, 12, 15, 30А, U_{кэо_гр} 300-450В отличаются от выпускаемых аналогов (КТ504, КТ506, КТ841, КТ854, КТ847, КТ856) низкими обратными токами переходов, низкими напряжениями насыщения, линейностью коэффициента усиления в широком диапазоне токов.

Статические характеристики транзисторов этого класса приведены на Рис.3 и 4.

 

Транзисторы способны работать на индуктивную нагрузку, имеют высокие динамические свойства. Функциональное назначение транзисторов- схемы с индуктивной нагрузкой, критичные к временам спада - импульсные модуляторы, преобразователи, инверторы, контроллеры электродвигателей, вторичные источники питания.

Диоды

Диод КД401 pn разработан и выпускается для регуляторов напряжения генераторов автомобилей. U_обр= 200, 150, 100В; U_пр<1,4В I_пр=10А.

Диод DSB150 np разработан и выпускается для систем солнечных батарей. U_обр=200, 160В; U_пр<0.8В I_пр=1А.

Серия КД662 (аналог: SKSD47C120I, SEMICRON) - быстро восстанавливающиеся диоды с "мягкой" характеристикой восстановления обратного сопротивления изготавливаются по Controll Axial Lifetime технологии. Назначение- защита силовых элементов регулирования в т.ч. ключевыэ биполярных и IGBT транзисторов, работающих на индуктивную нагрузку. Особенности диодов:

• обратное напряжение V_RRM 1200-1700В;
• средний прямой ток I_F(AV) 50A;
• импульсный прямой ток I_FSM 550А;
• прямое падение напряжения U_FM (I_FM=50A) 1,5-3В;
• время обратного восстановления t_rr (I_FM=50A) 100-300нсек;
• положительный температурный коэффициент прямой характеристики.