HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL
РадиоЛоцман - Все об электронике

О перспективах производства отечественных изделий микроэлектроники рассказал руководитель АО «НИИЭТ»

В Воронеже состоялось знаковое событие в области бизнеса, управления в государственном секторе региона – IX УПРАВЛЕНЧЕСКАЯ ПЛАТФОРМА имени В.Н. Эйтингона, организаторами которой традиционно выступили Ассоциация выпускников Президентской программы подготовки управленческих кадров Воронежской области. Мероприятие проводится в Воронеже ежегодно в память о Владимире Наумовиче Эйтингоне – заслуженном экономисте РФ, одном из идеологов и основателей Президентской программы подготовки управленческих кадров региона. Платформа является ключевой площадкой для ведения диалога между бизнесом, представителями высшей школы, власти и общества, где каждый участник имеет возможность поделиться лучшими практиками и технологиями менеджмента и обсудить острые вопросы управления.

Технология правильного хранения аккумуляторов и батареек по рекомендациям FANSO и EVE Energy

О перспективах производства отечественных изделий микроэлектроники рассказал руководитель АО «НИИЭТ»

Участниками Платформы стали управленцы не только из Воронежской области, но и представители и других регионов страны, а также зарубежные гости. В рамках деловой программы было представлено 15 секций по различным тематикам, экспертами которых выступили более 60 топ-менеджеров и специалистов. Руководитель АО «НИИЭТ» Павел Павлович Куцько был спикером панельной дискуссии «Технологический суверенитет», где речь шла о достижениях в сфере микроэлектроники, перспективных инвестиционных проектах и развитии научного потенциала. Обсуждение получилось насыщенное и информативное. Основной темой, которую поднял Куцько в своем выступлении, было создание кластера радиоэлектронной промышленности в Воронежской области, в котором АО «НИИЭТ» будет отдана лидирующая роль. Подобная инициатива объединения производств уже обсуждалась некоторое время назад, но реализации не получила по многим причинам.

Совсем недавно проект создания кластера в Черноземье вышел на новый уровень, его поддержали Денис Мантуров и Александр Гусев. Предприятия смогут подавать консолидированные заявки на получение господдержки и получать дополнительные преференции, недоступные для отдельных производств. Можно утверждать, что уже сейчас не менее пяти предприятий отрасли готовы объединять усилия для развития производства микроэлектроники в столице Черноземья и получения господдержки на прорывные проекты. В Воронежском НИИ электронной техники уже создана специальная рабочая группа, а также получено предварительное согласие сотрудничества от завода «ВЗПП-Микрон», «ВЗПП-С», Конструкторско-технологического центра «Электроника», Специализированного конструкторско-технологического бюро электронных систем и компании «Модуль-В».

Руководитель рассказал АО «НИИЭТ» Павел Павлович Куцько пояснил:

«Что нужно для образования кластера? Нужно минимум пять предприятий, связанных договорами о взаимодействии, и минимум три продукта, которые они будут совместно производить. В качестве вариантов продукта рассматриваем гетерогенную интеграцию (объединение отдельных кристаллов в одном корпусе), системы на кристалле и системы в корпусе, которые можно сделать из продукции воронежских предприятий на сборочных мощностях НИИ электронной техники. Есть вариант корпусирования микросхем – этим в Воронеже занимаются три предприятия. Мы, в частности, с привлечением заемных средств Фонда развития промышленности создаем сборочный цех по корпусированию изделий в пластик. По-хорошему, на оформление всех документов для кластера хватит и месяца. Ждем совещания в правительстве области, которое уже ведет работу в этом направлении».

Не обошлось из без обсуждения проблем отрасли. Павел Павлович напомнил, что до долгое время финансирование разработок в Российской микроэлектронике было направлено исключительно на оборонную промышленность, финансирование же создания массового производства гражданской микроэлектронной продукции имеет достаточно сильное отставание, которое невозможно преодолеть в ближайшем будущем. К сожалению, по многим показателям наши разработки гражданских изделий отстают от зарубежных. Но есть перспективные направления, например – развитие нитрид-галлиевых (GaN) технологий.

Напомним, что в начале августа стало известно о совместном проекте АО «НИИЭТ» и Воронежского госуниверситета – открытии лаборатории нитрид-галлиевой и кремниевой электроники. Это даст серьезный импульс для достижения запланированного объёма производства нитрид-галлиевых транзисторов. Разработанные технологии можно будет использовать при создании портативных устройств для медицины, робототехники, БПЛА и дронов, систем безопасности и т.д. Кроме того, создание лаборатории будет способствовать обеспечению внутреннего рынка российской электронной продукцией на 70% к 2030 году. Источником финансирования проекта стал грант из бюджета Воронежской области. Воронежский государственный университет получит сто миллионов рублей на создание профильной лаборатории, способной отрабатывать перспективные технологические операции, вести целевую подготовку и переподготовку кадров для предприятий микроэлектроники. АО «НИИЭТ» является индустриальным партнером проекта и вложит 12 миллионов в подготовку чистых производственных помещений для установки оборудования. Исследования, которые планируют проводить, позволят продвинуть вперед разработку отечественной элементной базы, в том числе для продукции гражданского назначения.

Руководитель НИИ электронной техники пояснил, что в Воронеже уже имеются все ресурсы для организации постростового производства по GaN в ближайшие три года. В распоряжении НИИ электронной техники есть 1200 квадратных метров чистых помещений, загруженных всего наполовину. Оборудование, необходимое для оснащения производства, делается в России, Белоруссии и Китае. А это значит, не попадает под санкции.

«К сожалению, на данном этапе потенциальные потребители не могут назвать конкретную номенклатуру и объемы изделий, выполненных по технологии GaN, которые они готовы закупать. Нитрид галлия по сравнению с кремнием дает значительное уменьшение статических потерь, увеличение рабочих частот (до сотен МГц) и высокую скорость переключение, обеспечение больших выходных токов без потери эффективности, увеличение КПД, что позволит уменьшить габаритные размеры конечной аппаратуры без потери рабочих параметров. Но инерция производителей радиоэлектронной аппаратуры велика, и она будет в числе прочего определять развитие отрасли в России. Вычислить срок окупаемости проектов по нитриду галлия сегодня невозможно. И тем не менее есть уверенность, что будущее именно за ними», – подытожил Павел Куцько.

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя