Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English
РадиоЛоцман - Все об электронике
Дискретные
Проф. элек-ка
ArduinoАвтоАвтозвукАвтоматикаАналог. схемыАудиоБезопасностьБеспроводныеБытоваяВетроэнер-каВидеоВидеокамерыВред.рецептыВысоковольт.ГенераторыИИИгрыИзмеренияИнстр. и тех.ИнтерфейсыИстория электроникиКомпьютеры иЛазерМедицинаМониторыМузыкаНачинающимОбработка сигналов, фильтрыПерс.технологПечат.платыПитаниеПлатформыПрименение МКР/у моделиРадиоРадиолокацияРетроРобототехникаСАПР и ПОСветотехникаСетиСиловая эл-каСолнечная эн.Сотовая связьСпутник.обор.ТВТелефонТеорияУк.применениюУсилителиЦифровые
Эл. компон-ты
АЦП, ЦАПБеспроводныеДатчикиДискретныеДрайверыИнтерфейсыКонденсаторыЛогикаМКМЭМСОптоэлектроникаПамятьПассивные комп-тыПитаниеПреоб. данныхПрогр. логикаПроцессорыРЧ компонентыРезисторыРелеСоед., разъемыСотовая связьТехнологииУсилители
Потреб. тех-ка
АудиотехникаВидеотехникаКлимат. тех-каКомпьютеры ..Кухонная тех-каОргтехникаСвязьТехн. будущегоТовары для домаФототехника
Производители
НовостиДискретные компоненты

Новости - Дискретные компоненты - 10

Подраздел: "Дискретные компоненты"
Найдено: 457 Вывод: 91-100
  1. Новые 100- и 120-вольтовые TMBS выпрямители Vishay снижают потери мощности
    Дискретные компоненты Силовая электроника Vishay V30100CI V30120CI V40100CI V40120CI
    При питании ноутбуков и мобильных устройств выпрямители в корпусах TO-220AB могут пропускать токи от 30 А до 40 А Vishay Intertechnology представила четыре новых 100- и 120-вольтовых выпрямителя, основанных на технологии TMBS (Trench MOS Barrier ...
    Vishay Intertechnology 100 V and 120 V TMBS® Rectifiers Offer Forward Voltage Drop Down to 0.36 V to Reduce Power Losses and Increase Efficiency
    For Notebook Computer and Mobile Devices, Rectifiers Provide Current Ratings of 30 A to 40 A in TO-220AB Package Vishay Intertechnology introduced four new 100 V and 120 V TMBS® Trench MOS Barrier Schottky rectifiers that provide up to 20 mV ...
    16 октября 2018
  2. Nexperia начинает поставки MOSFET для приложений горячей замены с лучшей в своем классе областью безопасной работы
    Дискретные компоненты Силовая электроника Nexperia PSMN3R7-100BSE
    Отсутствие компромисса между областью безопасной работы и рабочим КПД К семейству MOSFET NextPower Live, оптимизированных для работы в линейном режиме, Nexperia добавила новый прибор PSMN3R7-100BSE с лучшей в своем классе комбинацией области ...
    Nexperia MOSFETs deliver Best-In-Class Safe Operating Area and improved RDS(on) for Hot Swap designs
    Ensures no compromise between protection and operating efficiency Nexperia introduced the latest addition to its NextPower Live linear-mode MOSFET family, PSMN3R7-100BSE delivers a best-in-class combination of strong Safe Operating Area (SOA) and ...
    8 октября 2018
  1. Littelfuse анонсирует 1700-вольтовый SiC MOSFET с сопротивлением канала 1 Ом
    Дискретные компоненты Силовая электроника Littelfuse LSIC1MO170E1000
    Позволяет создавать высокочастотные высокоэффективные системы управления питанием таких приложений, как электрические и гибридные транспортные средства, датацентры и вспомогательные источники питания Расширяя свой портфель SiC MOSFET, компания ...
    Littelfuse Announces 1700V, 1 Ohm SiC MOSFET
    Enables high-frequency, high-efficiency power control applications such as electric and hybrid vehicles, datacenters, and auxiliary power supplies Littelfuse introduced its first 1700 V SiC MOSFET, the LSIC1MO170E1000 , expanding its portfolio of ...
    2 октября 2018
  2. Ampleon анонсировала высокоэффективный 1600-ваттный транзистор для ЧМ радиовещательных передатчиков
    Дискретные компоненты Ampleon BLF189XRA
    Компания Ampleon анонсировала выпуск мощного высоконадежного транзистора BLF189XRA , предназначенного для ЧМ радиовещательных передатчиков диапазона 88 108 МГц. Устройство работает при стандартном для отрасли напряжении питания 50 В, отдавая в ...
    Highly efficient 1,600 Watt extremely rugged RF power transistor targets 50V FM radio broadcast applications
    Ampleon announced the high power rugged BLF189XRA RF power transistor aimed at broadcast FM radio applications transmitting in the 88 108 MHz frequency range. Operating from an industry standard 50 V power source the BLF189XRA delivers over 1,600 ...
    24 сентября 2018
  1. ON Semiconductor анонсировала SiC диоды для автомобильных приложений
    Дискретные компоненты Авто ON Semiconductor FFSHx0120 FFSHx065
    Меньшие потери и большие скорости переключения обеспечивают высокий КПД, компактные размеры и низкую стоимость решений ON Semiconductor расширила свое семейство карбидокремниевых (SiC) диодов Шоттки устройствами, созданными специально для тяжелых ...
    ON Semiconductor Announces SiC Diodes for Demanding Automotive Applications
    Lower losses and higher switching deliver highly efficient, space-saving solutions and reduced overall system costs ON Semiconductor has announced an expansion of its silicon carbide (SiC) Schottky diode portfolio to include devices specifically ...
    19 сентября 2018
  2. EPC представляет сверхминиатюрные мощные 100-вольтовые eGaN транзисторы
    Дискретные компоненты Силовая электроника EPC EPC2051
    EPC2051 дает разработчикам силовых устройств 100-вольтовый мощный, но миниатюрный транзистор с импульсным током 37 А и сопротивлением канала 25 мОм. Новые устройства идеально подходят для таких приложений, как 48-вольтовые преобразователи энергии, ...
    EPC Introduces 100 V eGaN Power Transistor - 30 Times Smaller Than Comparable Silicon and Capable of 97% Efficiency at 500 kHz
    The EPC2051 offers power systems designers a 100 V, 25 mΩ, power transistor capable of 37 A pulsed in an extremely small chip-scale package. These new devices are ideal for applications such as 48 V power converters, LiDAR, and LED lighting. ...
    13 сентября 2018
  3. АО «НИИЭТ» разработал мощные СВЧ GaN транзисторы для радиопередающей аппаратуры
    Дискретные компоненты НИИЭТ ПП9139Б1
    АО НИИЭТ (в составе АО Концерн Созвездие ) разработало новые мощные СВЧ GaN транзисторы ПП9139Б1. Основной сферой их применения является радиопередающая аппаратура. Транзисторы ориентированы на создание и модернизацию перспективных образцов ...
    10 сентября 2018
  4. Toshiba анонсирует следующее поколение мощных MOSFET с суперпереходом
    Дискретные компоненты Силовая электроника Toshiba TK040N65Z
    Новые устройства еще больше повышают эффективность источников питания Компания Toshiba Electronics Europe сообщила о завершении разработки новой серии 650-вольтовых MOSFET следующего поколения, предназначенных для использования в источниках питания ...
    Toshiba announce next-generation superjunction power MOSFETs
    New devices increase power supply efficiency even further Toshiba Electronics Europe has launched a new series of next-generation 650 V power MOSFETs that are intended for use in server power supplies in data centers, solar (PV) power conditioners, ...
    22 августа 2018
  5. Torex запускает в производство новое семейство миниатюрных супрессоров
    Дискретные компоненты Torex XBP06V0U25R-G
    Torex Semiconductor начала массовое производство новых супрессоров (ограничителей напряжения) серии XBP06V0U25R-G . XBP06V0U25R-G устанавливаются в непосредственной близости от разъема внешнего интерфейса для защиты подключенных схем от разрядов ...
    Expanded Lineup of Transient Voltage Suppressor (TVS) Protection Diodes XBP06V0U25R-G
    Torex Semiconductor has launched the XBP06V0U25R-G as a new series of transient voltage suppressors (TVS). The XBP06V0U25R-G series of products are mounted in close proximity to an external interface to protect downstream ICs from electrostatic ...
    21 августа 2018
  6. Infineon освоила производство новых 1200-вольтовых IGBT на 12-дюймовых пластинах
    Дискретные компоненты Силовая электроника Infineon
    Infineon Technologies приступила к производству 1200-вольтовых IGBT нового поколения TRENCHSTOP IGBT6. Это первые на рынке дискретные IGBT с обратным диодом, изготавливаемые на 12-дюймовых пластинах. Новая технология изготовления IGBT разработана ...
    First TRENCHSTOP 1200 V IGBT6 discrete produced on 12 inch wafer
    Infineon Technologies is launching a new 1200 V IGBT generation TRENCHSTOP™ IGBT6. It is the first discrete IGBT duopack on the market manufactured on 12 inch wafer size. The new IGBT technology is designed to fulfill the increasing customer ...
    7 августа 2018
Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring