Источники питания Keen Side
РадиоЛоцман - Все об электронике

Diodes выпускает новые 50-вольтовые драйверы затворов MOSFET, предназначенные для управления электродвигателями в приложениях с батарейными питанием

Diodes DGD0506 DGD0507

Компания Diodes выпустила новые микросхемы высокочастотных драйверов DGD0506 и DGD0507. Устройства предназначены для управления затворами двух внешних N-канальных MOSFET в полумостовом включении. При 50 В допустимого плавающего напряжения питания транзистора верхнего плеча драйверы могут использоваться в широком диапазоне приложений, прежде всего, в приводах бесщеточных двигателей постоянного тока устройств с батарейным питанием, таких как дроны, вентиляторы, электронные сигареты и аккумуляторные электроинструменты, включая дрели, портативные пылесосы и блендеры.

LED-драйверы MOSO для рекламной и архитектурно-декоративной подсветки – оптимальное решение при низкой стоимости

Diodes - DGD0506, DGD0507

Логические уровни входных сигналов позволяют напрямую подключать к DGD0506 и DGD0507 управляющие микроконтроллеры с напряжением питания 3.3 В, в то время как достигающий напряжения питания микросхем (8 В …14 В) размах выходных сигналов гарантирует снижение потерь проводимости за счет полного обогащения канала MOSFET. При допустимых значениях втекающего и вытекающего токов 1.8 А и 2.5 А, соответственно, эти драйверы уменьшают время переключения MOSFET с очень низкими сопротивлениями открытого канала, включая выпускаемые Diodes транзисторы DMT4002LPS, и вносят вклад в повышение общего КПД системы.

Для сокращения количества внешних компонентов в драйверы затворов DGD0506 и DGD0507 интегрированы бутстрепные диоды, которые в сочетании с компактным корпусом DFN3030 размером 3 мм × 3 мм сокращают размеры и вес создаваемых устройств. Микросхема DGD0506 с единственным входом управления минимизирует количество необходимых выводов микроконтроллера, а возможность программирования мертвого времени в диапазоне от 70 нс до 420 нс увеличивает гибкость проектных решений. DGD0507, имеющая отдельные входы управления транзисторами верхнего и нижнего плеча, предназначена для решений, требующих меньших значений мертвого времени, и позволяет использовать более высокие частоты переключения при максимальной задержке распространения 35 нс и разбросе между каналами не более 5 нс. Наряду с логикой исключения сквозных токов это обеспечивает защиту MOSFET, гарантируя, что выходы верхнего и нижнего плеча никогда не будут включены одновременно. Цепь блокировки при пониженном входном напряжении защищает MOSFET в случае исчезновения питания.

DGD0506 и DGD0507 выпускаются в корпусе DFN3030, и благодаря полной совместимости по выводам могут служить альтернативой аналогичным приборам, выпускаемым другими предприятиями отрасли.

Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман

На английском языке: 50V MOSFET Gate-Driver ICs from Diodes Incorporated Address Demand for Driving Battery-Powered BLDC Motors

29 предложений от 12 поставщиков
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP Integrated Circuits (ICs) PMIC - Gate Drivers Tape & Reel (TR) 10-MSOP ROHS3 Compliant
Allelco
Весь мир
DGD0506AM10-13
Diodes
6.52 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
DGD0506AM10-13
Diodes
от 16 ₽
Элитан
Россия
DGD0506AM10-13
Diodes
39 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
DGD0506AM1013
1 924 ₽
Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс
Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться.
Имя