|
Специалист
Регистрация: 24.11.2007
Сообщений: 2,573
Репутация: 262
 |
Цитата:
В настоящее время большая часть новостей и дискуссий в полупроводниковой отрасли посвящена устройствам на основе новых материалов с широкой запрещенной зоной, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Приложения средней и высокой мощности, в которых использовались IGBT, по-прежнему существуют, как и сами транзисторы.
|
||
|
Оценка
|
|
Новичок
Регистрация: 20.10.2010
Сообщений: 8
Репутация: 13
|
"Двигатели представляют собой индуктивную нагрузку, поэтому ток в них нарастает быстро"- неожиданно, сторого по всем законам электротехники)))
|
||
|
Оценка
|
|
Опубликованы материалы вебинара, посвященного пленочным конденсаторам компании Hongfa, на котором была представлена текущая линейка и модельный ряд продукции этого направления, включая новые, недавно вышедшие серии. На вебинаре были приведены актуальные примеры применения пленочных конденсаторов Hongfa в источниках питания, зарядных станциях для электротранспорта, преобразователях частоты, фотоэлектрических преобразователях и ветрогенераторах.
 |
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
