|
Новичок
Регистрация: 23.11.2008
Сообщений: 22
Репутация: 23
 |
В примерах расчетов пропущено возведение тока в квадрат при вычислении мощности, рассеиваемой на переходе транзистора. Соответственно, результаты в первом примере должны быть 0,67 Вт, во втором 0,56 Вт, что несколько снижает эйфорию от "оптимизации совокупности характеристик". Также надо понимать, что эта мощность выделяется на каждом транзисторе.
|
||
|
Оценка
|
|
Компания SUNCO выпускает такие компоненты, как Si- и SiCFET-транзисторы, дискретные IGBT и IGBT-модули, SiC-диоды, диодные мосты, диоды Шоттки, TVS-диоды, TVS-тиристоры и многое другое, являясь одним из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов с полным циклом производства и продаж. Продукция компании применяется ведущими мировыми производителями. В статье можно ознакомиться с ассортиментом продукции.
 |
| Обратная связь РадиоЛоцман Вверх |
Версия для печати
Отправить по электронной почте
