Datasheets - Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

1. MTP10N08 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor MTP10N08
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
2. MTP10N10 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor MTP10N10
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...

3. IRF120 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF120
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
4. IRF121 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF121
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...

5. IRF122 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF122
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
6. IRF123 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF123
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
7. IRF520 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF520
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
8. IRF521 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF521
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
9. IRF522 — Datasheet New Jersey Semiconductor
   Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF522
   Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
10. IRF523 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRF523
    Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60 100 В Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники ...
11. 2N6756 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6756
    Транс МОП-транзистор N-CH 100 В 14 А 3-контактный (2+вывод) TO-3
12. 2N6755 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6755
    Транс МОП-транзистор N-CH 100 В 14 А 3-контактный (2+вывод) TO-3
13. 2N6661 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6661
    Trans MOSFET N-CH 90 В 0,35 А 3-контактный TO-39
14. 2N6660 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6660
    Trans MOSFET N-CH 60 В 0,99 А 3-контактный TO-205AD
15. 2N6659 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N6659
    Trans MOSFET N-CH 35 В 1,4 А 3-контактный TO-205AD
16. 2N4360 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N4360
    Кремниевый p-канальный МОП-транзистор 20 В
17. 2N4352 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N4352
    Trans MOSFET N-CH 25 В 0,1 А 4-контактный TO-72
18. 2N4351 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor 2N4351
    Trans MOSFET N-CH 25 В 0,1 А 4-контактный TO-72
19. IRFP360 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRFP360
    Trans MOSFET N-CH 400 В 23 А 3-контактный (3+Tab) TO-247AC
20. IRFP362 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    Полевые транзисторы New Jersey Semiconductor IRFP362
    Trans MOSFET N-CH 400 В 23 А 3-контактный (3+Tab) TO-247AD

Сортировать по: релевантность / дата