Datasheets - Полевые транзисторы Infineon - 5

• Полупроводниковые приборы
• Дискретные приборы
• Транзисторы, транзисторные сборки и модули
• Полевые транзисторы

Вид: Список / Картинки

81. BSC070N10NS5 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon BSC070N10NS5
    

    МОП-транзистор N-CH 100 В 80 А TDSON-8
82. IRF8308MTR1PBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRF8308M IRF8308MTR1PBF
    

    Один N-канальный силовой МОП-транзистор N-канального типа на 30 В в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 27 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.

83. IRF8306MTRPBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRF8306M IRF8306MTRPBF
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор N-канальный на 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 23 А, оптимизированный с низким сопротивлением во включенном состоянии
84. IRF8304MTRPBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRF8304M IRF8304MTRPBF
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 28 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.

85. IRF8302MTRPBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRF8302M IRF8302MTRPBF
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В и диод Шоттки в корпусе DirectFET MX, рассчитанный на ток 31 А, оптимизированный с низким сопротивлением во включенном состоянии.
86. IRF8301MTRPBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRF8301M IRF8301MTRPBF
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе DirectFET MT, рассчитанный на ток 34 А, оптимизированный с низким сопротивлением в открытом состоянии.
87. IRLR3103 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRLR3103
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
88. IRLU3103 — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRLU3103
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе I-Pak
89. IRLR3103TRLPBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRLR3103PBF IRLR3103TRLPBF
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе D-Pak
90. IRLU3103PBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRLU3103PBF
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET 30 В в корпусе I-Pak
91. BSC093N04LS G — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon BSC093N04LS G
    

    Силовой транзистор OptiMOS 3
92. BSC067N06LS3 G — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon BSC067N06LS3 G
    

    Силовой транзистор OptiMOS 3
93. IRFP3703PBF — Datasheet Infineon
    Полевые транзисторы Infineon IRFP3703 IRFP3703PBF
    

    Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET на 30 В в корпусе TO-247AC
94. SPP02N60C3 — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon SPP02N60C3
    

    Наименование модели: SPP02N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 1.8 А, TO-220AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: P VDS · · · · · G Tjmax G Спецификации: Continuous Drain Current Id: 1.8 А Drain ...
95. SPD18P06P G — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon SPD18P06P G
    

    Наименование модели: SPD18P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 18.6 А, TO-252 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD18P06P G SIPMOS ® Power-Transistor Features · Product Summary Drain source voltage ...
96. SPD15P10PL G — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon SPD15P10PL G
    

    Наименование модели: SPD15P10PL G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD15P10PL G SIPMOS® Power-Transistor Features · P-Channel · Enhancement mode · ...
97. SPD15P10P G — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon SPD15P10P G
    

    Наименование модели: SPD15P10P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD15P10P G SIPMOS Small-Signal-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID ...
98. SPD08P06P G — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon SPD08P06P G
    

    Наименование модели: SPD08P06P G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.83 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD08P06P G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 ...
99. SPD04P10PL G — Datasheet Infineon -
    Полевые транзисторы Infineon SPD04P10PL G
    

    Наименование модели: SPD04P10PL G Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 4.2 А, TO252-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPD04P10PL G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 ...
100. SPD04N60C3 — Datasheet Infineon -
     Полевые транзисторы Infineon SPD04N60C3
     

     Наименование модели: SPD04N60C3 Производитель: Infineon Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 4.5 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: VDS · · · · · · G Tjmax G G G Спецификации: Continuous Drain Current Id: 4.5 А Drain ...

Сортировать по: релевантность / дата