Preliminary Datasheet EPC2102 (Efficient Power Conversion) - 7

Производитель	Efficient Power Conversion
Описание	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
Страниц / Страница	10 / 7 — EPC2102 – Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge. Preliminary …
Формат / Размер файла	PDF / 1.4 Мб
Язык документа	английский

EPC2102 – Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge. Preliminary Specification Sheet. Figure 9a:. Figure 9b:

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить EPC2102ENG на РадиоЛоцман.Цены TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
HXD Co. Весь мир	EPC2102ENG Efficient Power Conversion	по запросу

LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Модельный ряд для этого даташита

EPC2102

Текстовая версия документа

EPC2102 – Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge Preliminary Specification Sheet Figure 9a: Figure 9b: EPC2102-Q1: Normalized Threshold Voltage vs. Temperature EPC2102-Q2: Normalized Threshold Voltage vs. Temperature 1.4 1.4 1.3 ge 1.3 ge ta ta ol 1.2 ol V I 1.2 D = 7 mA V ID = 7 mA d d 1.1 1.1 hol hol s s e e 1 1 hr hr T T d 0.9 d e 0.9 e liz liz a 0.8 a 0.8 m m or or 0.7 N 0.7 N 0.6 0.6 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 TJ - Junction Temperature (°C) TJ - Junction Temperature (°C)
Subject to Change without Notice www.epc-co.com COPYRIGHT 2015 Page 7

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring