Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet BUZ 171 (STMicroelectronics) - 3

ПроизводительSTMicroelectronics
ОписаниеSIPMOS Power Transistor
Страниц / Страница9 / 3 — BUZ 171. Electrical Characteristics,. Parameter. Symbol. Values. Unit. …
Формат / Размер файлаPDF / 195 Кб
Язык документаанглийский

BUZ 171. Electrical Characteristics,. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. Dynamic Characteristics

BUZ 171 Electrical Characteristics, Parameter Symbol Values Unit min typ max Dynamic Characteristics

11 предложений от 11 поставщиков
SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated)
LifeElectronics
Россия
BUZ171
Siemens
по запросу
BUZ171T
Siemens
по запросу
TradeElectronics
Россия
BUZ171E-3045
Siemens
по запросу
727GS
Весь мир
BUZ171
Silicon Labs
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BUZ 171 Electrical Characteristics,
at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Dynamic Characteristics
Transconductance gfs S V ≥ DS 2 * ID * RDS(on)max, ID = -5 A 1.5 2.3 - Input capacitance Ciss pF VGS = 0 V, VDS = -25 V, f = 1 MHz - 750 1000 Output capacitance Coss VGS = 0 V, VDS = -25 V, f = 1 MHz - 270 400 Reverse transfer capacitance Crss VGS = 0 V, VDS = -25 V, f = 1 MHz - 120 180 Turn-on delay time td(on) ns VDD = -30 V, VGS = -10 V, ID = -2.9 A RGS = 50 Ω - 20 30 Rise time tr VDD = -30 V, VGS = -10 V, ID = -2.9 A RGS = 50 Ω - 110 170 Turn-off delay time td(off) VDD = -30 V, VGS = -10 V, ID = -2.9 A RGS = 50 Ω - 70 90 Fall time tf VDD = -30 V, VGS = -10 V, ID = -2.9 A RGS = 50 Ω - 100 140 Semiconductor Group 3 07/96
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка