Datasheet NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG (ON Semiconductor) - 7

Производитель	ON Semiconductor
Описание	F1-2PACK SiC MOSFET Module
Страниц / Страница	12 / 7 — NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG. TYPICAL CHARACTERISTICS. ANCE …
Версия	P2
Формат / Размер файла	PDF / 2.2 Мб
Язык документа	английский

NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG. TYPICAL CHARACTERISTICS. ANCE (pF). ACIT. CAP. VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить NXH010P120MNF1PNG на РадиоЛоцман.Цены — от 9 538 до 24 780 ₽ 7 предложений от 4 поставщиков Транзистор: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
ChipWorker Весь мир	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	9 538 ₽
AiPCBA Весь мир	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	10 825 ₽
Зенер Россия и страны ТС	NXH010P120MNF1PNG	от 23 154 ₽
ЭИК Россия	NXH010P120MNF1PNG ON Semiconductor	от 24 780 ₽

LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Модельный ряд для этого даташита

NXH010P120MNF1

NXH010P120MNF1PNG

Текстовая версия документа

NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG TYPICAL CHARACTERISTICS
SiC MOSFET (M1, M2)
ANCE (pF) ACIT CAP VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Figure 9. Capacitance vs. Drain−to−Source Voltage
5
C/W] DUTY CYCLE PEAK RESPONSE [ PULSE ON TIME [s] Figure 10. SiC Mosfet Junction− to−Case Transient Thermal Impedance Element # M1 M2 Rth (K/W) Cth (Ws/K) Rth (K/W) Cth (Ws/K)
1 0.00569 0.00195 0.01290 0.00461 2 0.01079 0.00951 0.02387 0.02538 3 0.03005 0.01813 0.04253 0.02953 4 0.08398 0.08121 0.07199 0.08994 5 0.09325 0.11117 0.07823 0.06854
Figure 11. Table of Cauer Networks−M1, M2 www.onsemi.com 7

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring