Datasheet GA035XCP12-247 - Genesic Semiconductor Даташит IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 35 А, TO-247 — Даташит
Наименование модели: GA035XCP12-247
![]() Транзистор IGBT, IGBT SIC DIODE COPACK, 1200V, 35A, TO247; Transistor Type: IGBT; DC Collector Current: 35A; Collector Emitter Voltage... | |||
GA035XCP12-247 Genesic Semiconductor | 6 879 ₽ | ||
GA035XCP12-247 Genesic Semiconductor | 11 363 ₽ | ||
GA035XCP12-247 Genesic Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Genesic Semiconductor
Описание: IGBT SILICON CARBIDE (SiC) диод COPACK, 1200 В, 35 А, TO-247
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage Vces: 1200 В
- DC Collector Current: 35 А
- Количество выводов: 3
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Тип корпуса: 3-TO-247
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да
Варианты написания:
GA035XCP12247, GA035XCP12 247