Datasheet ON Semiconductor BC847BDW1T1G — Даташит
Производитель | ON Semiconductor |
Серия | BC847BDW1 |
Модель | BC847BDW1T1G |
Двойной биполярный транзистор NPN
Datasheets
Datasheet BC846BDW1, BC847BDW1, BC848CDW1
PDF, 107 Кб, Язык: анг., Версия: 11, Файл закачен: 7 июл 2019, Страниц: 11
Dual NPN Bipolar Transistor
Dual NPN Bipolar Transistor
Выписка из документа
Цены
![]() 69 предложений от 26 поставщиков Массив биполярных транзисторов, универсальный, NPN, 45 В, 100 мА, 380 мВт, 450 hFE, SOT-363 | |||
BC847BDW1T1G Rochester Electronics | от 0.45 ₽ | ||
BC847BDW1T1G ON Semiconductor | от 1.16 ₽ | ||
BC847BDW1T1G ON Semiconductor | от 2.15 ₽ | ||
BC847=BC847BDW1T1G Rectron Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Двойной биполярный транзистор NPN предназначен для усилителей общего назначения.
Он установлен в SOT-363/SC-88/SC70-6, который предназначен для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 |
Код корпуса | 419B-02 |
Экологический статус
Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: BC847BDW1 (5)
- BC847BDW1T1G BC847BDW1T3G NSVBC847BDW1T2G SBC847BDW1T1G SBC847BDW1T3G
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors