Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PEMT1 - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-666 — Даташит

NXP PEMT1

Наименование модели: PEMT1

36 предложений от 18 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы
LIXINC Electronics
Весь мир
PEMT1/DG
NXP
2.00 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PEMT1.115
Nexperia
3.68 ₽
HXD Co.
Весь мир
PEMT1,115
Nexperia
39 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
PEMT1/DG,115
NXP
по запросу
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, SOT-666

data sheetСкачать Data Sheet

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
  • Power Dissipation Pd: 300 мВт
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 120
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
  • Тип корпуса: SOT-666
  • Способ монтажа: SMD
  • Collector Emitter Voltage Vces: -200 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 100 мА
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • DC Current Gain Min: 120
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
  • Power Dissipation per device Max: 200 мВт
  • SMD Marking: FF
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PEMT1 - NXP TRANSISTOR, PNP, SOT-666

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс