Datasheet SI9934BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит

Купить SI9934BDY на РадиоЛоцман.Цены — от 5.82 до 69 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков Trans MOSFET P-CH 12V 4.8A 8Pin SOIC N T/R
HXD Co. Весь мир	SI9934BDY-T1-GE3 Vishay	5.82 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	SI9934BDY-T1-GE3 Vishay	от 43 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI9934BDY-T1-E3 IC Siliconix	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	SI9934BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8

Скачать Data Sheet

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On Resistance Rds(on): 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: -4.8 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 56 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 35 МОм
• P Channel Gate Charge: 13nC
• Pulse Current Idm: 20 А
• Voltage Vds Typ: -12 В
• Voltage Vgs Max: -8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть