Datasheet SI7904BDN-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6 А — Даташит
Наименование модели: SI7904BDN-T1-GE3
Купить SI7904BDN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 4 922 ₽ 28 предложений от 13 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы | |||
SI7904BDN-T1-GE3 Vishay | 20 ₽ | ||
SI7904BDN-T1-GE3 Vishay | 51 ₽ | ||
SI7904BDN-T1-GE3 Vishay | 127 ₽ | ||
SI7904BDN-T1-GE3 MOS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6 А
Краткое содержание документа:
Si7904BDN
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.030 at VGS = 4.5 V 20 0.036 at VGS = 2.5 V 0.045 at VGS = 1.8 V ID (A)a 6 6 9 nC 6 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 1.8 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7904BDNT1GE3, SI7904BDN T1 GE3