Datasheet SI3900DV-T1-GE3 - Vishay Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 2.4 А — Даташит
Наименование модели: SI3900DV-T1-GE3
 Купить SI3900DV-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 2 737 ₽32 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы | |||
| SI3900DV-T1-GE3 Vishay | 36 ₽ | ||
| SI3900DV-T1-GE3 Vishay | 39 ₽ | ||
| SI3900DV-T1-GE3, N-кан.транзистор 20В 2.4A TSOP-6 Texas Instruments | по запросу | ||
| SI3900DV-T1-GE3 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 2.4 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 125 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3900DVT1GE3, SI3900DV T1 GE3
