Datasheet SI9933CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP-CH, 20 В, 4 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI9933CDY-T1-GE3
Купить SI9933CDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 1 802 ₽ 29 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы | |||
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay | 24 ₽ | ||
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay | 39 ₽ | ||
SI9933CDY-T1-GE3 | по запросу | ||
SI9933CDY-T1-GE3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP-CH, 20 В, 4 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si9933CDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 48 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: -4 А
- Voltage Vgs Max: 12 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI9933CDYT1GE3, SI9933CDY T1 GE3