Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet SI9933CDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP-CH, 20 В, 4 А, SO8 — Даташит

Vishay SI9933CDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9933CDY-T1-GE3

29 предложений от 18 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
Триема
Россия
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay
24 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI9933CDY-T1-GE3
Vishay
39 ₽
Allelco
Весь мир
SI9933CDY-T1-GE3
по запросу
Контест
Россия
SI9933CDY-T1-GE3
Siliconix
по запросу
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP-CH, 20 В, 4 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si9933CDY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 48 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.4 В
  • Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -4 А
  • Voltage Vgs Max: 12 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI9933CDYT1GE3, SI9933CDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9933CDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, PP-CH, 20 V, 4 A, SO8

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс