Datasheet SI7942DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит

Купить SI7942DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 12 107 ₽ 30 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
LIXINC Electronics Весь мир	SI7942DP-T1-E3 Vishay	от 16 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI7942DP-T1-E3 Vishay	203 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI7942DP-T1-E3 Vishay	от 324 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	SI7942DP-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7942DP
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 100 RDS(on) () 0.049 at VGS = 10 V 0.060 at VGS = 6 V ID (A) 5.9 5.5

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 49 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 1.4 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 5.9 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Module Configuration: Dual
• Тип корпуса: SO-8
• Rise Time: 15 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7942DPT1E3, SI7942DP T1 E3