Datasheet SI4900DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, диод, 60 В, 5.3 А, 8-SOIC — Даташит

Купить SI4900DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 8 647 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
ChipWorker Весь мир	SI4900DY-T1-GE3 Vishay	53 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI4900DY-T1-GE3 Vishay	57 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4900DY-T1-GE3 Vishay	61 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SI4900DY-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, диод, 60 В, 5.3 А, 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4900DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.058 at VGS = 10 V 0.072 at VGS = 4.5 V ID (A)a 5.3 4.7 Qg (Typ.) 13 nC

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 0.046 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 4.3 А

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Diodes - ZXMN6A11DN8TA
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SI4900DYT1GE3, SI4900DY T1 GE3