Datasheet SI1912EDH-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, SOT363 — Даташит

Купить SI1912EDH-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 38 до 361 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков Trans MOSFET N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R
AiPCBA Весь мир	SI1912EDH-T1-E3 Vishay	38 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI1912EDH-T1-E3 Vishay	41 ₽	Купить
Контест Россия	SI1912EDH-T1-E3 Siliconix	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI1912EDH-T1-E3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, SOT363

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1912EDH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.280 at VGS = 4.5 V 0.360 at VGS = 2.5 V 0.450 at VGS = 1.8 V ID (A) 1.28 1.13 1.0

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: Dual N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.28 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 280 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
• Power Dissipation Pd: 570 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• Current Id Max: 1.28 А
• Тип корпуса: SOT-363
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 450 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1912EDHT1E3, SI1912EDH T1 E3