Datasheet ZXMC4559DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 60 В, SO-8 — Даташит

Купить ZXMC4559DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 2 626 ₽ 31 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
ЧипСити Россия	ZXMC4559DN8TA Diodes	59 ₽	Купить
DIP8.RU Россия и страны ТС	ZXMC4559DN8TA Diodes	от 66 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMC4559DN8TA Diodes	85 ₽	Купить
МосЧип Россия	ZXMC4559DN8TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, 60 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMC4559DN8
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9A DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 105 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 4.7 А
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: 1(S1), 2(G1), 3(S2), 4(G2), 5+6(D2), 7+8(D1)
• Способ монтажа: SMD
• Pulse Current Idm: 18.3 А
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01
• STANNOL - 574601