Datasheet IRF8513PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 8A/11A SO8 — Даташит

Купить IRF8513PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 4 293 ₽ 16 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 8A/11A 8Pin SOIC
Триема Россия	IRF8513PBF Infineon	37 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	IRF8513PBF Infineon	39 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF8513PBF International Rectifier	64 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRF8513PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH 30 В 8A/11A SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96196
IRF8513PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Graphics Cards, Game Consoles and Set-Top Box Benefits l Low Gate Charge and Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating l 100% Tested for RG l Lead-Free (Qualified to 260°C Reflow) l RoHS Compliant (Halogen Free)
V DSS

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 15.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Power Dissipation Pd: 2.4 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 8 мА
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В

RoHS: есть