Datasheet FDS4935BZ - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, P, SO-8 — Даташит

Купить FDS4935BZ на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 2 513 ₽ 33 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — массивы
Akcel Весь мир	FDS4935BZ-NL&-38-VB	от 32 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	FDS4935BZ Fairchild	33 ₽	Купить
Триема Россия	FDS4935BZ ON Semiconductor	50 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FDS4935BZ-NL	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDS4935BZ
September 2006
tm
FDS4935BZ
Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 22 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Capacitance Ciss Typ: 1360 пФ
• Continuous Drain Current Id, P Channel: -6.9 А
• Current Id Max: -6.9 А
• Drain Source Voltage Vds, P Channel: -30 В
• Module Configuration: Dual
• On Resistance Rds(on), P Channel: 0.018 Ом
• On State Resistance Max: 22 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: D1(5, 6), D2(7, 8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1)
• Pulse Current Idm: 50 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
• Voltage Vgs th Max: -3 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть