Datasheet SI2312BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить SI2312BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.51 до 142 ₽ 41 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23
ICdarom.ru Россия	SI2312BDS-T1-GE3 Vishay	от 17 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	SI2312BDS-T1-GE3 Vishay	от 30 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI2312BDS-T1-GE3 Vishay	34 ₽	Купить
Триема Россия	SI2312BDS-T1-GE3	142 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 31 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 5 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 750 мВт
• Rise Time: 30 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 0.85 В
• Voltage Vgs th Min: 0.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI2312BDST1GE3, SI2312BDS T1 GE3