Datasheet SI2312BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить SI2312BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 55 ₽ 39 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	SI2312BDS-T1-GE3 Vishay	17 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI2312BDS-T1-GE3 Vishay	19 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	SI2312BDS-T1-GE3 Vishay	от 26 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	SI2312BDS-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 31 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 8 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 5 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 750 мВт
• Rise Time: 30 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 8 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 0.85 В
• Voltage Vgs th Min: 0.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI2312BDST1GE3, SI2312BDS T1 GE3