Datasheet SI4116DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI4116DY-T1-E3
![]() 27 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, SOIC-8 N-CH 25V 12.7A 8.6mΩ | |||
SI4116DY-T1-E3 Vishay | 16 ₽ | ||
SI4116DY-T1-E3 Vishay | 45 ₽ | ||
SI4116DY-T1-E3 Vishay | от 101 ₽ | ||
SI4116DY-T1-E3 Siliconix | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4116DY
Vishay Siliconix
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 18 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 8.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Current Id Max: 12.7 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Тип корпуса: SOIC-8
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
- Rise Time: 11 нс
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 1.4 В
- Voltage Vgs th Min: 0.6 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
Варианты написания:
SI4116DYT1E3, SI4116DY T1 E3