Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet SI5402BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6.1 А — Даташит

Vishay SI5402BDC-T1-GE3

Наименование модели: SI5402BDC-T1-GE3

8 предложений от 8 поставщиков
VISHAY SI5402BDC-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 6.1A, 30V, 42mohm, 4.5V, 1V
AiPCBA
Весь мир
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay
38 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay
47 ₽
HXD Co.
Весь мир
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay
по запросу
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6.1 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 42 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5402BDCT1GE3, SI5402BDC T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI5402BDC-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 6.1 A

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс