Datasheet SIR882DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 60 А, PPAKSO8 — Даташит

Купить SIR882DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 79 до 326 ₽ 23 предложений от 11 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
HXD Co. Весь мир	SIR882DP-T1-GE3 Vishay	79 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SIR882DP-T1-GE3 Vishay	137 ₽	Купить
ЭИК Россия	SIR882DP-T1-GE3 Vishay	от 260 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SIR882DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 100 В, 60 А, PPAKSO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiR882DP
Vishay Siliconix
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 7100µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 17.6 А
• Power Dissipation Pd: 5.4 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK

Варианты написания:

SIR882DPT1GE3, SIR882DP T1 GE3