Datasheet SIJ458DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 60 А, PPAKSO8L — Даташит
Наименование модели: SIJ458DP-T1-GE3
Купить SIJ458DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 132 до 602 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков VISHAY - SIJ458DP-T1-GE3 - MOSFET,N CH,DIODE,30V,60A,PPAKSO8L | |||
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay | 132 ₽ | ||
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay | 161 ₽ | ||
SIJ458DP-T1-GE3 | по запросу | ||
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, диод, 30 В, 60 А, PPAKSO8L
Краткое содержание документа:
New Product
SiJ458DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 1800µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC PowerPAK
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 35.5 А
- Power Dissipation Pd: 5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
- Fairchild - FDS6900AS
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
Варианты написания:
SIJ458DPT1GE3, SIJ458DP T1 GE3