Datasheet SI7860DP-T1-E3 - Vishay Даташит Транзистор, полевой транзистор — Даташит

Купить SI7860DP-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 85 до 153 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков МОП-транзистор 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V
ChipWorker Весь мир	SI7860DP-T1-E3 Vishay	85 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	SI7860DP-T1-E3 Vishay	93 ₽	Купить
Allelco Весь мир	SI7860DP-T1-E3	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI7860DP-T1-E3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Транзистор, полевой транзистор

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7860DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.008 at VGS = 10 V 0.011 at VGS = 4.5 V ID (A) 18 15

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 18 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 18 А
• Тип корпуса: SOIC-8
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7860DPT1E3, SI7860DP T1 E3