Datasheet SI2302ADS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2302ADS-T1-E3
![]() 24 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SI2302ADS-T1-E3 Vishay | 5.92 ₽ | ||
SI2302ADS-T1-E3 Vishay | 15 ₽ | ||
SI2302ADS-T1-E3 Vishay | от 80 ₽ | ||
SI2302ADS-T1-E3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
Si2302ADS
Vishay Siliconix
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.060 at VGS = 4.5 V 0.115 at VGS = 2.5 V ID (A) 2.4 2.0
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 60 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 2.1 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 950 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2302ADST1E3, SI2302ADS T1 E3