Источники питания Keen Side

Datasheet SI3447BDV-T1-GE3 - Vishay Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -12 В, 4.5 А — Даташит

Vishay SI3447BDV-T1-GE3

Наименование модели: SI3447BDV-T1-GE3

7 предложений от 7 поставщиков
MOSFET 12V 6.0A 2.0W 40mohm @ 4.5V
ChipWorker
Весь мир
SI3447BDV-T1-GE3
Vishay
9.56 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI3447BDV-T1-GE3
Vishay
11 ₽
Allelco
Весь мир
SI3447BDV-T1-GE3
по запросу
Augswan
Весь мир
SI3447BDV-T1-GE3
Vishay
по запросу
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -12 В, 4.5 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: -12 В
  • On Resistance Rds(on): 40 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3447BDVT1GE3, SI3447BDV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3447BDV-T1-GE3 - Vishay P CHANNEL MOSFET, -12 V, 4.5 A

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс