Datasheet SI4480DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 6 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4480DY-T1-GE3
SI4480DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 6 А, SO8
Краткое содержание документа:
Si4480DY
Vishay Siliconix
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 80 RDS(on) () 0.035 at VGS = 10 V 0.040 at VGS = 6.0 V ID (A) 6.0 5.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On State Resistance: 26 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6 А
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4480DYT1GE3, SI4480DY T1 GE3