Datasheet TK4A60DB(Q) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.7 А, SC-67 — Даташит
Наименование модели: TK4A60DB(Q)
Купить TK4A60DB(Q) на РадиоЛоцман.Цены — от 81 до 1 877 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS | |||
TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba | 81 ₽ | ||
TK4A60DB(S4PHI,X,S Toshiba | 145 ₽ | ||
TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba | по запросу | ||
TK4A60DB Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.7 А, SC-67
Краткое содержание документа:
TK4A60DB
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK4A60DB
Switching Regulator Applications
3.2 ± 0.2 10 ± 0.3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 1.6 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: SC-67
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3.7 А
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- AAVID THERMALLOY - 220SA
- AAVID THERMALLOY - BW50-2G
- ABL HEATSINKS - 205AB0500B
- GC ELECTRONICS - 10-8108