Datasheet TK3A60DA(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 2.5 А, SC-67 — Даташит

Купить TK3A60DA(Q,M) на РадиоЛоцман.Цены — от 68 до 10 976 ₽ 24 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Элитан Россия	TK3A60DA(STA4.Q.M) Toshiba	68 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba	84 ₽	Купить
HXD Co. Весь мир	TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba	127 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	TK3A60DA(Q,M) Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 2.5 А, SC-67

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TK3A60DA
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS)
TK3A60DA
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.2 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 2.8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Корпус транзистора: SC-67
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 2.5 А
• Power Dissipation Pd: 30 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• AAVID THERMALLOY - 220SA
• AAVID THERMALLOY - BW50-2G
• ABL HEATSINKS - 205AB0500B
• GC ELECTRONICS - 10-8108

Варианты написания:

TK3A60DA(QM), TK3A60DA(Q M)