Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet SIR426DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 30 А, PPAK SO8 — Даташит

Vishay SIR426DP-T1-GE3

Наименование модели: SIR426DP-T1-GE3

39 предложений от 18 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ЗУМ-СМД
Россия
SiR426DP-T1-GE3
Vishay
34 ₽
AiPCBA
Весь мир
SIR426DP-T1-GE3
Vishay
56 ₽
SIR426DP-T1-GE3
Vishay
от 65 ₽
ЭИК
Россия
SIR426DP-T1-GE3
Vishay
от 89 ₽
LED-драйверы MOSO для индустриальных приложений

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 30 А, PPAK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiR426DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0105 at VGS = 10 V 0.0125 at VGS = 4.5 V ID (A) 30a 30a Qg (Typ.) 9.3 nC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 8.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 30 А
  • Power Dissipation Pd: 41.7 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SIR426DPT1GE3, SIR426DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIR426DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 40 V, 30 A, PPAK SO8

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс