Datasheet SIR426DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 30 А, PPAK SO8 — Даташит
Наименование модели: SIR426DP-T1-GE3
Купить SIR426DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 4 722 ₽ 39 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SiR426DP-T1-GE3 Vishay | 34 ₽ | ||
SIR426DP-T1-GE3 Vishay | 56 ₽ | ||
SIR426DP-T1-GE3 Vishay | от 65 ₽ | ||
SIR426DP-T1-GE3 Vishay | от 89 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 30 А, PPAK SO8
Краткое содержание документа:
SiR426DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0105 at VGS = 10 V 0.0125 at VGS = 4.5 V ID (A) 30a 30a Qg (Typ.) 9.3 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 8.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 30 А
- Power Dissipation Pd: 41.7 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SIR426DPT1GE3, SIR426DP T1 GE3