Datasheet SI4162DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8 — Даташит

Купить SI4162DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 91 ₽ 32 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
T-electron Россия и страны СНГ	SI4162DY-T1-GE3 Vishay	36 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI4162DY-T1-GE3 Vishay	36 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI4162DY-T1-GE3 Vishay	37 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SI4162DY-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 19.3 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4162DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0079 at VGS = 10 V 0.010 at VGS = 4.5 V ID (A) 19.3a 17.1

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 6.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 13.6 А
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• CHEMTRONICS - CW8400
• EREM - 00SA
• MULTICORE (SOLDER) - 698840
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI4162DYT1GE3, SI4162DY T1 GE3