Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SI2333CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 12 В, 7.1 А, SOT23 — Даташит

Vishay SI2333CDS-T1-GE3

Наименование модели: SI2333CDS-T1-GE3

30 предложений от 15 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
T-electron
Россия и страны СНГ
SI2333CDS-T1-GE3
Vishay
15 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2333CDS-T1-GE3
Vishay
20 ₽
HXD Co.
Весь мир
SI2333CDS-T1-GE3
Vishay
62 ₽
Allelco
Весь мир
SI2333CDS-T1-GE3 MOS
по запросу
Вебинар «Как выбрать идеальный силовой модуль: решения SUNCO для силовой электроники» (03.12.2024)

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 12 В, 7.1 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2333CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.035 at VGS = - 4.5 V - 12 0.045 at VGS = - 2.5 V 0.059 at VGS = - 1.8 V ID (A)a - 5.1 - 4.5 - 3.9 9 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -12 В
  • On State Resistance: 28.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: -7.1 А
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2333CDST1GE3, SI2333CDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2333CDS-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P-CH, 12 V, 7.1 A, SOT23

Электронные компоненты. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка от ТМ Электроникс