Datasheet SI2333CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 12 В, 7.1 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2333CDS-T1-GE3
Купить SI2333CDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 62 ₽ 30 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay | 15 ₽ | ||
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay | 20 ₽ | ||
SI2333CDS-T1-GE3 Vishay | 62 ₽ | ||
SI2333CDS-T1-GE3 MOS | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 12 В, 7.1 А, SOT23
Краткое содержание документа:
Si2333CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
MOSFET PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.035 at VGS = - 4.5 V - 12 0.045 at VGS = - 2.5 V 0.059 at VGS = - 1.8 V ID (A)a - 5.1 - 4.5 - 3.9 9 nC Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -12 В
- On State Resistance: 28.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -7.1 А
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2333CDST1GE3, SI2333CDS T1 GE3