Datasheet SI2309CDS-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 1.6 А, SOT23 — Даташит
Наименование модели: SI2309CDS-T1-GE3
![]() 56 предложений от 21 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
SI2309CDS-T1-GE3 | от 3.96 ₽ | ||
SI2309CDS-T1-GE3 | от 3.96 ₽ | ||
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay | от 39 ₽ | ||
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay | от 44 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 1.6 А, SOT23
Краткое содержание документа:
New Product
Si2309CDS
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On State Resistance: 285 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: -1.6 А
- Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2309CDST1GE3, SI2309CDS T1 GE3