Datasheet Texas Instruments CSD16406Q3 — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | CSD16406Q3 |
| Модель | CSD16406Q3 |
N-канальный силовой МОП-транзистор NexFET™ 8-VSON-CLIP от -55 до 150
Datasheets
CSD16406Q3 N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 380 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 17 дек 2015
Выписка из документа
Цены
 Купить CSD16406Q3 на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 207 ₽41 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| CSD16406Q3 Texas Instruments | от 32 ₽ | ||
| CSD16406Q3 Texas Instruments | 45 ₽ | ||
| CSD16406Q3 Texas Instruments | по запросу | ||
| CSD16406Q3 Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
| Доступность образцов у производителя | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | DQG |
| Package QTY | 2500 |
| Carrier | LARGE T&R |
| Маркировка | CSD16406 |
| Width (мм) | 3.3 |
| Length (мм) | 3.3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Configuration | Single |
| IDM, Max Pulsed Drain Current(Max) | 114 A |
| Корпус | SON3x3 мм |
| QG Typ | 5.8 nC |
| QGD Typ | 1.5 nC |
| RDS(on) Typ at VGS=4.5V | 5.9 mOhm |
| Rds(on) Max at VGS=10V | 5.3 mOhms |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V | 7.4 mOhms |
| VDS | 25 В |
| VGS | 16 В |
| VGSTH Typ | 1.7 В |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да |
Комплекты разработчика и оценочные наборы
- Evaluation Modules & Boards: TMDXEVM388
DM388 DaVinci Digital Media Processor Evaluation Module
Статус продукта: В производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Application Notes
- Intel VR11.1 Server Reference DesignPDF, 38 Кб, Файл опубликован: 21 июл 2010
- Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETsPDF, 1.4 Мб, Файл опубликован: 16 ноя 2011
Классификация производителя
- Semiconductors > Power Management > Power MOSFET > N-Channel MOSFET Transistor
