Datasheet VNS1NV04D-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор 2N-CH 40 В 1.7 А 8-SOIC — Даташит

Купить VNS1NV04D-E на РадиоЛоцман.Цены — от 73 до 8 809 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков new in stock for immediate delivery
AiPCBA Весь мир	VNS1NV04D-E STMicroelectronics	73 ₽	Купить
EIS Components Весь мир	VNS1NV04D-E STMicroelectronics	80 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	VNS1NV04D-E	по запросу	Купить
Akcel Весь мир	VNS1NV04D-E STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор 2N-CH 40 В 1.7 А 8-SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
®
VNS1NV04D
"OMNIFET II": FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
TYPE VNS1NV04D
(*) Per each device

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 1.7 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 4 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 45 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

VNS1NV04DE, VNS1NV04D E