Datasheet STP200NF03 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 30 В 120 А TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP200NF03
Купить STP200NF03 на РадиоЛоцман.Цены — от 74 до 384 ₽ 25 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
STP200NF03 STMicroelectronics | 74 ₽ | ||
STP200NF03 STMicroelectronics | 81 ₽ | ||
STP200NF03 STMicroelectronics | от 198 ₽ | ||
STP200NF03 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 30 В 120 А TO-220
Краткое содержание документа:
STP200NF03 STB200NF03 - STB200NF03-1
N-channel 30V - 0.0032 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFETTM III Power MOSFET
General features
Type STP200NF03 STB200NF03 STB200NF03-1 VDSS 30V 30V 30V RDS(on) <0.0037 <0.0037 <0.0037 ID 120A(1) 120A(1) 120A(1) TO-220
1 2 3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 3.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 120 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть