Datasheet STF11NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 11 А TO220FP — Даташит
Наименование модели: STF11NM80
![]() 68 предложений от 28 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 11 А, 0.35 Ом, TO-220FP, Through Hole | |||
STF11NM80 STMicroelectronics | от 145 ₽ | ||
STF11NM80 STMicroelectronics | 223 ₽ | ||
STF11NM80 STMicroelectronics | от 541 ₽ | ||
STF11NM80FP STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 11 А TO220FP
Краткое содержание документа:
STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80
N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmeshTM Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247
Features
Type STB11NM80 STF11NM80 STP11NM80 STW11NM80
1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 350 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 11 А
- Тип корпуса: TO-220FP
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть