Datasheet STE53NC50 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, SOT-227B — Даташит

Купить STE53NC50 на РадиоЛоцман.Цены — от 707 до 7 817 ₽ 32 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	STE53NC50 STMicroelectronics	от 707 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STE53NC50 STMicroelectronics	1 917 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STE53NC50 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STE53NC50 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-227B

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STE53NC50
N-CHANNEL 500V - 0.070 - 53A ISOTOP PowerMeshTMII MOSFET
TYPE STE53NC50
n n n n n
VDSS 500V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 53 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 54 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 38 мм
• Внешняя длина / высота: 12.2 мм
• Внешняя ширина: 25.4 мм
• Fixing Centres: 31.6 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Напряжение изоляции: 2.5 кВ
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 80 МОм
• Тип корпуса: ISOTOP
• Power Dissipation Pd: 460 Вт
• Pulse Current Idm: 212 А
• Способ монтажа: Screw
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• SCHRODER - 20900