Datasheet STB7NK80ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 5.2 А, D2PAK — Даташит

Купить STB7NK80ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 372 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
LIXINC Electronics Весь мир	STB7NK80ZT4 STMicroelectronics	от 25 ₽	Купить
Элитан Россия	STB7NK80ZT4 STMicroelectronics	58 ₽	Купить
Контест Россия	STB7NK80ZT4	300 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	STB7NK80ZT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 5.2 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB7NK80Z, STB7NK80Z-1 STP7NK80ZFP, STP7NK80Z
N-channel 800 V, 1.5 , 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STP7NK80Z STP7NK80ZFP STB7NK80Z STB7NK80Z-1
VDSS (@Tjmax) 800V 800V 800V 800V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 1.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 5.2 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть